M31 円星科技宣布其 eUSB2 PHY IP 已在台积电 2nm 制程节点设计定案

内容摘要IT之家 4 月 27 日消息，半导体 IP 企业 M31 円（yuán）星科技本月 25 日宣布，其 eUSB2 PHY（IT之家注：物理层）IP 已在台积电 2nm 制程节点完成设计定案，同时在 3nm 节点上的版本已完成硅验证。eUS

IT之家 4 月 27 日消息，半导体 IP 企业 M31 円（yuán）星科技本月 25 日宣布，其 eUSB2 PHY（IT之家注：物理层）IP 已在台积电 2nm 制程节点完成设计定案，同时在 3nm 节点上的版本已完成硅验证。

eUSB2 是 USB 2.0 面向嵌入式应用的 PHY 修订版本，调整了信号电压以适应先进工艺节点对电压的更低耐受性同时具有更优秀的能效；USB-IF 还为该规范推出了改进的 v2 版，将速度上限提升到和 USB 3.2 Gen 1 接近的 4.8 Gbps。

▲ M31 广泛的 eUSB2 IP

M31 円星科技表示其 eUSB2 IP 解决方案已被多家全球领先的高阶智能手机芯片与 AI 图像处理应用大厂广泛采用。对于 eUSB2V2，该企业正积极开发相关 IP，布局台积公司 N3 与 N2 制程技术，进一步扩展完整的 eUSB2 解决方案平台。

M31 円星科技宣布其 eUSB2 PHY IP 已在台积电 2nm 制程节点设计定案  
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李治国

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